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基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款6～27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用预匹配电路降低带内......
期刊
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点，被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件，促进了极弱光的超......
本文提出了一种32～40 GHz高耐功率砷化镓（Gallium Arsenide, GaAs） PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路（Monolithic Microwave......
随着现代无线通信系统标准向着多元化发展,其智能化程度日益提高。传统收发前端因采用开关滤波器组来区分不同工作频段和工作模式,......
研制了一种基于6英寸（1英寸=2.54 cm）GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频......
期刊
随着无线通信时代的加速发展,一些高效的数字调制技术在卫星通信系统中得到了广泛应用,这也使得系统中的传输信号的峰值平均功率比......
为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
本文提出了一种0.25μm GaAs工艺的I-Q矢量调制器。该矢量调制器工作在Ka波段,使用平衡式结构,包括9个Lange耦合器和1个Wilkinson......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
GaAs金属半导体场效应管（GaAs MESFET）广泛应用于卫星、雷达、电子对抗等领域,在微波器件及集成电路中独树一帜。随着国内微波技术的......
进入21世纪,军用以及民用的信息交换需求大幅增加,射频通信领域的发展迎来前所未有的关注,功率放大器以在射频电路中承担着对传输......
本文将固浸透镜技术与双光子响应探测器的研究相结合,以近本征Si和半绝缘GaAs为材料,分别制作了半球形Si基（底面为（110）面）和GaAs基（底......
近几年,5G无线通信技术已越发热门,无线通信的技术会与每个人息息相关,这导致的结果必然是射频微波设备的快速增长,而发射机和接收......
单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuits,MMIC）是在同一块半导体基片上的集成多组模块的微波电路,功能可以涵盖......
W波段毫米波雷达具备小型化较好,分辨率高,全天候工作等特点,广泛地应用于生命体征探测、安防监控、智能交通,特别是车载防撞雷达......
采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2～6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的......
凭借快速的波束扫描,灵活的波束赋形能力,相控阵天线已经成为先进军事和商业应用中的关键技术。但是传统相控阵天线高昂的成本严重......
高电荷态离子与固体表面相互作用中可见光发射是高电荷态离子与物质相互作用过程中的重要物理问题。基于中国科学院近代物理研究所......
半导体纳米线因其准一维结构特征和优异的物理特性被认为是新一代光电子器件的理想结构单元。GaAs纳米线具有直接带隙和高的电子迁......
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度......
Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor d......
We fabricate photonic crystal slab microcavities embedded with GaAs quantum dots by electron beam lithography and drople......
随着半导体太阳电池制备工艺的发展, 基于GaAs的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电池光电转换效率不断提高, 是目前世界上最具竞争力的新一代......
本文给出了关于半绝缘GaAs中1.06μm ps光脉冲产生的自由电子的理论及计算结果,并讨论了从深能级跃迁与双光子跃迁的自由电子浓度......
在研究新型高效GaAs基三结和四结太阳电池过程中，研究者努力寻找一种既满足能隙约为1eV，同时又与GaAs衬底晶格匹配的半导体材料。通......
针对532 nm纳秒单脉冲激光辐照单晶硅、砷化镓(GaAs)太阳能电池的损伤效应，结合电池的结构和等效电路，分析了纳秒单脉冲激光对两种太......
运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中......
报道以厚400μm、(100)向的砷化镓替代染料为锁模元件的全固态被动锁模Nd:YAG激光器。锁模脉冲宽度为16ps,单脉冲平均能量10μJ,锁......
采用非对称X结耦合器设计并研制了 GaAs 1×4 Mach-Zehnder型光开关列阵。简述了非对称X结和相应的光开关列阵的工作原理及器件的......
基于单壁碳纳米管(SWCNT)/单层石墨烯/GaAs双异质结结构构筑了自驱动近红外光电探测器, 利用GaAs优异的光电特性和石墨烯的高载流......
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半......
利用半导体激光器作为触发源，对砷化镓光导开关进行了实验研究，重点研究了载流子累加效应对开关输出特性的影响。实验结果表明，光导开......
报道了一种LD端面抽运Nd:YAG陶瓷，以GaAs作为饱和吸收器件的全固态被动调Q激光器。当抽运功率为23.3 W时，最大平均输出功率为2.06 W，......
法国3S光子公司正与JDSU及Bookham公司在980nm GaAs抽运源方面展开激烈的较量，六个月前3S公司开始提供GaAs 980nm抽运激光器，并不断......
基于砷化镓(GaAs)工艺,利用ADS软件仿真设计了一款超宽带四通道开关滤波器芯片,频率覆盖了6GHz~20GHz,尺寸为仅3.2mm×2.4mm×0.1m......
以GaAs、InP和GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性，满足现代电子技术对高温、高频、大功......
以GaAs、GaN和InGaN为主的III-V族半导体材料因其具有较大的禁带宽度、较高的电子迁移率和饱和电子漂移速率,被广泛应用于光电器件......
垂直腔面发射半导体激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)是一种性能优良的新型光源。它能够实现芯片表面的激光......
近年来,半导体纳米材料（包括量子点、量子线、量子阱、半导体超晶格材料）,引起了人们极大的兴趣。其中,半导体量子点由于尺寸较小（通......
以泵浦-探测技术为基础的超快光谱学研究是通过两束光在空间位置的相对延迟来实现时间上的高分辨,是目前探索超快现象或机理研究的......
数字化多通道单脉冲雷达探测器收发通道间幅相误差校准是目前单脉冲雷达领域的热门研究课题。本文在介绍了单脉冲雷达探测器系统组......
基于0.15 μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5～13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).该MMIC中......
